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可控硅 可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,是一種大功率電器元件,也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速、調(diào)功及隨動(dòng)中了廣泛的應(yīng)用。 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。 中文名 可控硅 外文名 Silicon Controlled Rectifier
簡(jiǎn) 寫(xiě) SCR 別 稱(chēng) 晶閘管 屬 性 化工術(shù)語(yǔ)
結(jié)構(gòu) 大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘 可控硅 可控硅 管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕:層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。 以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因?yàn)樗奶匦灶?lèi)似于真空閘流管,所以上通稱(chēng)為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T,又因?yàn)榫чl管初的在靜止整流方面,所以又被稱(chēng)之為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。 在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。 可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果過(guò)此功率,因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著,允許通過(guò)的平均電流相,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。 可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受而誤導(dǎo)通。 可控硅從外形上分類(lèi)主要有:螺栓形、平板形和平底形。 可控硅元件的結(jié)構(gòu) 不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見(jiàn)圖1。它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、J3),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A,從N2層引出陰級(jí)K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。
閘管特性 可控硅 為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái),通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極,陰極K接電源的負(fù)極,控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,若采用KP5型,應(yīng)接在3V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接叫做正向連接,也就是說(shuō),給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開(kāi)關(guān)S,小燈泡不亮,說(shuō)明晶閘管沒(méi)有導(dǎo)通;再按一下按鈕開(kāi)關(guān),給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,小燈泡亮了,說(shuō)明晶閘管導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢? 這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,要使晶閘管導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,松開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。
特性 常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。 可控硅的主要參數(shù)有: 1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。 2、 正向峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā),陽(yáng)極正向電壓還未過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。 3、 反向峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。 4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的溫度下,陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。 5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。許多*可控硅元件相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)使其關(guān)斷的可控硅等等。
可控硅有多種分類(lèi)。 (一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 (二)按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。 (三)按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。 可控硅開(kāi)關(guān) 可控硅開(kāi)關(guān) (四)按電流容量分類(lèi):可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。 (五)按關(guān)斷速度分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。 (六)過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。 (七)非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見(jiàn)的是移相觸發(fā),即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來(lái)改變輸出百分比。
主要參數(shù) 電流 ⒈ 額定通態(tài)電流(IT)即大工作電流,俗稱(chēng)電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。 ⒉反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM),俗稱(chēng)耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。 ⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱(chēng)觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。 4,在規(guī)定溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。
可控硅調(diào)光是目前市面銷(xiāo)售比較多的調(diào)光。
我們先從原理和歷史發(fā)展分析一下
晶閘管(Thyristor)又叫可控硅,按照工作特性又分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)。其中雙向可控硅又分為四象限雙向可控硅和三象限雙向可控硅。
同時(shí)可控硅又分為絕緣和費(fèi)絕緣兩大類(lèi),比如ST意法半導(dǎo)體的可控硅BT后面用A與B來(lái)區(qū)分;
雙向可控硅(TRIAC):Tribe Acsemiconductor,也有人用Bi-directional Controlled Recrifier(BCR)來(lái)表示雙向可控硅;
可控硅在電路中的作用有以下幾種:
1、變流/整流。
2、調(diào)壓。
3、變頻。
4、開(kāi)關(guān)。
可控硅主要的作用就是穩(wěn)壓穩(wěn)流。 可控硅在自動(dòng)控制控制,機(jī)電領(lǐng)域,工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用。可控硅是一種有源開(kāi)關(guān)元件,平時(shí)它保持在非道通狀態(tài),直到由一個(gè)較少的控制對(duì)其觸發(fā)或稱(chēng)“點(diǎn)火”使其道通,一旦被點(diǎn)火就算撤離觸發(fā)它也保持道通狀態(tài),要使其截止可在其陽(yáng)極與陰極間加上反向電壓或?qū)⒘鬟^(guò)可控硅二極管的電某一個(gè)值以下。
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可控硅
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,是一種大功率電器元件,也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速、調(diào)功及隨動(dòng)中了廣泛的應(yīng)用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。
中文名 可控硅 外文名 Silicon Controlled Rectifier
簡(jiǎn) 寫(xiě) SCR 別 稱(chēng) 晶閘管 屬 性 化工術(shù)語(yǔ)
結(jié)構(gòu)
大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘
可控硅
可控硅
管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕:層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因?yàn)樗奶匦灶?lèi)似于真空閘流管,所以上通稱(chēng)為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T,又因?yàn)榫чl管初的在靜止整流方面,所以又被稱(chēng)之為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果過(guò)此功率,因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著,允許通過(guò)的平均電流相,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類(lèi)主要有:螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的結(jié)構(gòu)
不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見(jiàn)圖1。它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、J3),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A,從N2層引出陰級(jí)K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。
結(jié)構(gòu)原件
可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱(chēng)作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,具有無(wú)火花、快、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個(gè)電極。但是,它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極,而統(tǒng)稱(chēng)為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通可控硅不同,是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的,如圖2所示。它的型號(hào),在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示;國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào)、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí),電極引腳向下,面對(duì)標(biāo)有字符的一面)。市場(chǎng)上常見(jiàn)的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示。
閘管特性
可控硅
為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái),通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極,陰極K接電源的負(fù)極,控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,若采用KP5型,應(yīng)接在3V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接叫做正向連接,也就是說(shuō),給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開(kāi)關(guān)S,小燈泡不亮,說(shuō)明晶閘管沒(méi)有導(dǎo)通;再按一下按鈕開(kāi)關(guān),給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,小燈泡亮了,說(shuō)明晶閘管導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?
這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,要使晶閘管導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,松開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。
特性
常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。
可控硅的主要參數(shù)有:
1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、 正向峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā),陽(yáng)極正向電壓還未過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
3、 反向峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的溫度下,陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。
5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。許多*可控硅元件相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)使其關(guān)斷的可控硅等等。
可控硅有多種分類(lèi)。
(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
(三)按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
可控硅開(kāi)關(guān)
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(四)按電流容量分類(lèi):可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關(guān)斷速度分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
(六)過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。
(七)非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見(jiàn)的是移相觸發(fā),即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來(lái)改變輸出百分比。
主要參數(shù)
電流
⒈ 額定通態(tài)電流(IT)即大工作電流,俗稱(chēng)電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
⒉反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM),俗稱(chēng)耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱(chēng)觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
4,在規(guī)定溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。
可控硅調(diào)光是目前市面銷(xiāo)售比較多的調(diào)光。
我們先從原理和歷史發(fā)展分析一下
晶閘管(Thyristor)又叫可控硅,按照工作特性又分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)。其中雙向可控硅又分為四象限雙向可控硅和三象限雙向可控硅。
同時(shí)可控硅又分為絕緣和費(fèi)絕緣兩大類(lèi),比如ST意法半導(dǎo)體的可控硅BT后面用A與B來(lái)區(qū)分;
雙向可控硅(TRIAC):Tribe Acsemiconductor,也有人用Bi-directional Controlled Recrifier(BCR)來(lái)表示雙向可控硅;
可控硅在電路中的作用有以下幾種:
1、變流/整流。
2、調(diào)壓。
3、變頻。
4、開(kāi)關(guān)。
可控硅主要的作用就是穩(wěn)壓穩(wěn)流。 可控硅在自動(dòng)控制控制,機(jī)電領(lǐng)域,工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用。可控硅是一種有源開(kāi)關(guān)元件,平時(shí)它保持在非道通狀態(tài),直到由一個(gè)較少的控制對(duì)其觸發(fā)或稱(chēng)“點(diǎn)火”使其道通,一旦被點(diǎn)火就算撤離觸發(fā)它也保持道通狀態(tài),要使其截止可在其陽(yáng)極與陰極間加上反向電壓或?qū)⒘鬟^(guò)可控硅二極管的電某一個(gè)值以下。