HORIBA掘場(chǎng)RU-1000等離子體發(fā)射控制器北崎國(guó)際

HORIBA掘場(chǎng)RU-1000等離子體發(fā)射控制器

HORIBA掘場(chǎng)RU-1000等離子體發(fā)射控制器

觸摸屏薄膜和玻璃基板通過反應(yīng)濺射沉積在基板上。 反應(yīng)濺射法是濺射粒子與氧氣和氮?dú)庠谡婵罩邪l(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的方法，但反應(yīng)氣體供應(yīng)法的沉積速度慢，難以投入實(shí)際使用。 然而，眾所周知，存在一種沉積速率變化很大的過渡模式，盡管它在反應(yīng)模式和沉積速率快的金屬模式之間不穩(wěn)定，并且可以通過控制等離子體發(fā)射強(qiáng)度的反應(yīng)氣體來(lái)維持過渡區(qū)。

RU-1000 等離子體發(fā)射控制器使用傳感器來(lái)捕獲等離子體發(fā)射強(qiáng)度，并使用專有算法指示內(nèi)部高速響應(yīng)質(zhì)量流量控制器適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)氣體流速，從而提高接近金屬模式的沉積速率并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的成膜。

• RU-1000 等離子體發(fā)射控制器用于提高沉積速度。 與反應(yīng)氣體定量供應(yīng)方式相比，通過控制過渡區(qū)的反應(yīng)氣體，可以獲得數(shù)倍的沉積速度。
• 如果將多個(gè)等離子體發(fā)光強(qiáng)度傳感器連接到一個(gè)寬基板上，并且通過這些信號(hào)高速控制反應(yīng)氣體，則可以進(jìn)行極其均勻的薄膜沉積。
• 等離子體發(fā)射控制器 RU-1000 是由專門從事光學(xué)技術(shù)的 Horiba Manufacturing 和擁有*氣體控制技術(shù)的 Horiba S-Tech 商業(yè)化的國(guó)內(nèi)生產(chǎn)產(chǎn)品，具有*的售后服務(wù)。

制造商的特點(diǎn)

在等離子體發(fā)射控制器的生產(chǎn)中，HORIBA CORPORATION 負(fù)責(zé)測(cè)量等離子體發(fā)射強(qiáng)度的光學(xué)設(shè)計(jì)的基本設(shè)計(jì)，HORIBA S-Tech Co.， Ltd. 負(fù)責(zé)控制高速反應(yīng)氣體流速的功能部件的設(shè)計(jì)。 HORIBA 是汽車尾氣分析儀、薄膜測(cè)量和物理化學(xué)分析領(lǐng)域的*公司，由于這些分析技術(shù)的基本原理是光學(xué)測(cè)量技術(shù)，因此等離子體發(fā)射測(cè)量由該領(lǐng)域的*公司進(jìn)行。 另一方面，反應(yīng)氣體流量控制單元由質(zhì)量流量控制器（氣體流量控制裝置）的制造商處理，該控制器*常用于世界各地的半導(dǎo)體制造設(shè)備。 RU-1000 等離子體發(fā)射控制器將通過匯集 HORIBA 集團(tuán)的*技術(shù)來(lái)迎接將技術(shù)發(fā)展到更高水平的挑戰(zhàn)。
 

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