NEW 阻抗分析儀ZA57630
從電子零件、半導(dǎo)體器件到材料的特性評價(jià)，應(yīng)對多樣的阻抗測量需求
基本精度 ±0.08%
頻率范圍 10 μHz～36 MHz
阻抗范圍 10 μΩ～100 GΩ  (模式: IMPD-EXT)
阻抗分析儀

NEW  阻抗分析儀ZA57630
“True Value”
測量真正的特性。

ZA57630
▲ ZA57630

 

從電子零件、半導(dǎo)體器件到材料的特性評價(jià)，應(yīng)對多樣的阻抗測量需求    
 

 

基本精度

頻率范圍

阻抗范圍

測量 AC 信號級別
 

DC 偏置
 

測量時(shí)間

測量參數(shù)
 
±0.08%
10 μHz～36 MHz
10 μΩ～100 GΩ (模式: IMPD-EXT)
0.01 mVrms～3 Vrms
0.1 μArms～60 mArms
?5 V ～ +5 V/?40 V ～ +40 V (1 kHz以上)
100 mA ～ +100 mA
0.5 ms/point
Z, R, X, Y, G, B, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs, Rp, θz, θy, D, Dε, Dμ, 
Q, V, I, εs, εs’, εs”,μs, μs’, μs”, FREQUENCY
 快速測量  業(yè)界*快 0.5 ms/point
實(shí)現(xiàn)了業(yè)界*快的0.5ms/point。
縮短生產(chǎn)線的節(jié)拍時(shí)間，提高測量作業(yè)的效率。
此外，通過增加設(shè)定的測量時(shí)間，使測量結(jié)果平均化，減輕噪聲的影響?？梢曅枰x擇*合適的測量時(shí)間。img01
 4種測量模式  應(yīng)對廣泛的DUT

IMPD-3T
   標(biāo)準(zhǔn)測量模式
本模式可以在廣泛的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行高精度測量。可使用測試線及測試夾具，應(yīng)對各種形狀的試樣。img02
 

IMPD-2T
   高頻測量模式
本模式可以在 10MHz 以上的高頻下進(jìn)行穩(wěn)定的測量。使用 N 型連接器進(jìn)行 2 端子測量，即便配線長，也可以進(jìn)行穩(wěn)定的測量。img03
 

IMPD-EXT
  外部擴(kuò)展測量模式
本模式為外部連接放大器或分流電阻等物進(jìn)行測量。
可以通過施加高壓信號或檢測微小電壓 / 電流進(jìn)行單獨(dú)使用本儀器無法應(yīng)對的測量。img04
 

G-PH
   增益/相位測量模式
本模式可以測量濾波器、放大器等的傳輸特性。向被測電路施加掃描信號，高精度地測量其頻率響應(yīng)（增益、相位）。img05
 
 正面面板測量端子
阻抗分析儀

NEW  阻抗分析儀ZA57630
特點(diǎn)
結(jié)合用途配備豐富的功能！
以*適合DUT特性的設(shè)定，支持高重現(xiàn)性且準(zhǔn)確的測量。
準(zhǔn)確的評價(jià)基于實(shí)際使用的操作條件。

電子零件、電子材料可能因測量頻率及施加的信號級別而表現(xiàn)出不同的特性。電容器和電感器存在因寄生成分引發(fā)的頻率依賴性，二極管等半導(dǎo)體器件由于 DC 偏置疊加而產(chǎn)生特性變化。
要評價(jià)真實(shí)的特性，重要的是頻率、AC 振幅和 DC 偏置的掃頻，在實(shí)際的操作條件下進(jìn)行測量。


特點(diǎn)
掃頻
延遲功能
標(biāo)記操作
測量條件等的設(shè)定
自動高密度掃頻
順序測量
量程
誤差校正
圖表顯示
 
豐富的功能
共振點(diǎn)跟蹤測量
相對介電常數(shù)測量
外部基準(zhǔn)時(shí)鐘
等效電路估算
相對導(dǎo)磁率測量
存儲器操作
壓電常數(shù)計(jì)算
比較器 / 處理器接口
 

 掃頻   頻率、AC 振幅、DC 偏置、零頻寬

AC 振幅掃描
AC amplitude sweep

掃頻
Frequency sweep

DC 偏置掃頻
DC bias sweep

零頻寬
不變更頻率、AC 振幅和 DC 偏置的參數(shù)，按恒定的條件進(jìn)行測量，觀察不同時(shí)間的特性變化（橫軸：時(shí)間）
 

也能應(yīng)對點(diǎn)測

按恒定的頻率 /AC 振幅 /DC偏置進(jìn)行測量，以數(shù)值顯示測量結(jié)果。*多可以設(shè)定 6 個(gè)項(xiàng)目。
與比較器功能組合，可以進(jìn)行篩選及判定是否合格。Also capable of spot measurements
生產(chǎn)線內(nèi)的測量
 

 

 測量條件等的設(shè)定
在 1 個(gè)界面內(nèi)直觀地進(jìn)行詳細(xì)設(shè)定


設(shè)定項(xiàng)目（SETTING VIEW）
Setting items (SETTING VIEW)

設(shè)定圖表軸
Graph axis setting

設(shè)定頻率
Frequency settings
 

 

 量程

自動量程
監(jiān)視測量結(jié)果，同時(shí)自動設(shè)定*合適的量程進(jìn)行測量。
檢測到過量程的外部噪聲或直流分量時(shí)，重新設(shè)定為更大的量程并重新測量。測量數(shù)據(jù)的變化大時(shí)啟用。

固定量程
量程固定，因此不會產(chǎn)生因量程變化引發(fā)的測量值不連續(xù)（段差）。
 

 

 延遲功能
如果在掃描過程中變更了頻率、AC 振幅等掃描參數(shù)，則瞬態(tài)響應(yīng)將導(dǎo)致測量結(jié)果出現(xiàn)誤差。參數(shù)變更后，可以延遲開始測量的時(shí)間。延遲包括“延遲開始測量”和“延遲測量”，前者在開始測量時(shí)延遲，后者在掃描過程中每次變更參數(shù)時(shí)延遲。
 

 

 自動高密度掃頻
在掃頻測量中，本功能限定在測量數(shù)據(jù)突變的區(qū)間自動提高頻率密度進(jìn)行測量。
在壓電振蕩器、晶體振蕩器等的共振特性測量中，本功能在相位急劇變化的共振附近的測量中啟用。
 

 

 誤差校正
為進(jìn)行準(zhǔn)確的評價(jià)，需根據(jù)測量誤差因子進(jìn)行校正。

 

為進(jìn)行準(zhǔn)確的測量，需適當(dāng)校正殘余阻抗、電纜長度等各種測量誤差因子。

開路校正
減少因殘余導(dǎo)納引起的誤差

短路校正
減少因殘余阻抗引起的誤差

負(fù)載校正
以具有已知值的試樣作為標(biāo)準(zhǔn)阻抗，校正與真值的偏差

端口延長
使用長電纜時(shí)，校正因傳輸延遲時(shí)間而產(chǎn)生的相位誤差

電位梯度消除
消除測量信號所含的電位波動波形的影響。在由于電池等的充放電會引起電位變化的試樣的測量中啟用

補(bǔ)償
預(yù)先測量連接到外部的傳感器、電纜等測量系統(tǒng)的頻率特性，校正測量系統(tǒng)的誤差成分

輸入加權(quán)碼
校正探頭的衰減量及前置放大器的增益

自行校準(zhǔn)
校正自身誤差
 

 

 標(biāo)記操作
本功能用于讀取所顯示的圖表中 X、Y1、Y2 的測量值。
*多可使用 8 個(gè)標(biāo)記。

Δ標(biāo)記 顯示與基準(zhǔn)標(biāo)記（標(biāo)記 1）的差異

ΔTRKG 標(biāo)記
與Δ標(biāo)記同樣顯示差異，移動到標(biāo)記 1 時(shí)，保持恒定的掃描值差異，同時(shí)進(jìn)行移動

標(biāo)記搜索功能
可自動搜索與設(shè)定條件一致的點(diǎn)Marker search function
 

 

 順序測量
本功能預(yù)先設(shè)定多項(xiàng)所需的測量條件，按照該條件依次進(jìn)行測量。*多可將掃描范圍分割成 32 部分，各范圍內(nèi)按照不同的測量條件進(jìn)行測量。
可高效地測量因電壓值而使特性發(fā)生變化的多層陶瓷電容器（MLCC）、電感器及變壓器等器件。
 

 

 圖表顯示

SINGLE 顯示 /SPLIT 顯示
可選擇在 1 個(gè)畫面內(nèi)顯示 1 個(gè)圖表的“SINGLE”和上下顯示 2 個(gè)圖表的“SPLIT”

相位顯示操作
±180°、0°～＋360°、－360°～0°、UNWRAP（連續(xù)顯示）、 360°移位、孔徑（群延遲特性）

跡線操作
可改寫測量數(shù)據(jù)跡線（MEAS）和*多 8 條參照數(shù)據(jù)跡線（REF）

自動存儲
本功能在掃描測量結(jié)束后自動將 MEAS 跡線復(fù)制到 REF 跡線中。在隨時(shí)間而變化的特性觀測中啟用。
SPLIT 顯示

SPLIT display
自動存儲

Auto store
 

 

 共振點(diǎn)跟蹤測量
本功能在測量具有共振的試樣時(shí)，使測量頻率自動跟蹤試樣的共振頻率。 即使試樣具有振幅依賴性或共振頻率隨時(shí)間變化而波動，也可以始終進(jìn)行與共振頻率一致的測量。本功能便于在壓電元件的共振點(diǎn)附近進(jìn)行連續(xù)測量。
RESONANT FREQUENCY TRACKING FUNCTION
共振頻率變化（1.6 kHz→1.5858 kHz）、自動跟蹤
 

 

 等效電路估算
本功能將掃頻測量獲得的阻抗特性應(yīng)用于等效電路模型，從而求出LCR 元件的值（電感值、電容值、電阻值）。準(zhǔn)備有以下 6 種模型。等效電路估算結(jié)果可以用 CSV 格式保存。
 等效電路模型
Equivalent circuit model
 

Equivalent circuit model
 

 

 壓電常數(shù)計(jì)算
本功能測量壓電陶瓷的頻率 - 阻抗特性，并計(jì)算機(jī)電耦合系數(shù)和壓電常數(shù)等。按照 JEITA 標(biāo)準(zhǔn)《EM-4501A 壓電陶瓷振蕩器的電氣試驗(yàn)方法》規(guī)定的方法計(jì)算參數(shù)。
 測量結(jié)果顯示
Measurement results
 常數(shù)計(jì)算畫面
Constant calculation
 

 

 相對介電常數(shù)測量
可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息，將阻抗測量結(jié)果（Cp，Rp）換算為復(fù)相對介電常數(shù)進(jìn)行顯示。
相對介電常數(shù) εs

相對介電常數(shù)實(shí)部 εs’

相對介電常數(shù)虛部 εs”

損耗率 Dε

 εs’?εs”
RELATIVE PERMITTIVITY MEASUREMENT
 εs?Dε
RELATIVE PERMITTIVITY MEASUREMENT
 

 

 相對導(dǎo)磁率測量
可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息，將阻抗測量結(jié)果（Ls, Rs）換算為復(fù)相對導(dǎo)磁率進(jìn)行顯示。
相對導(dǎo)磁率μs

相對導(dǎo)磁率實(shí)部 μs’

相對導(dǎo)磁率虛部 μs”

損耗率 Dμ

 μs’?μs”
RELATIVE MAGNETIC PERMEABILITY MEASUREMENT
 μs?Dμ
RELATIVE MAGNETIC PERMEABILITY MEASUREMENT
 

 

 比較器 / 處理器接口  用于生產(chǎn)線!
測量速度 *快 0.5 ms/point，縮短了節(jié)拍時(shí)間，
并進(jìn)一步完善了零件篩選功能!!

 

比較器功能針對測量結(jié)果預(yù)先設(shè)定判定范圍，為篩選試樣而進(jìn)行分類以及判定是否合格。
 比較器設(shè)定畫面
Comparator setting screen
 分類判定
本功能*多可將判定結(jié)果分為14類。判定結(jié)果Bin sorting
 極限判定
本功能在已設(shè)定的范圍內(nèi)判定測量結(jié)果是否合格。Limit sorting
 區(qū)域判定
本功能通過X軸(掃描參數(shù))和Y1/Y2軸(測量結(jié)果)的2個(gè)維度判定掃描測量結(jié)果是否合格。Zone sorting
 處理器接口
可以將比較器的判定結(jié)果輸出到背面面板上配備的處理器接口連接器。通過連接零件處理器，可以構(gòu)建零件的自動判別系統(tǒng)。Handler interface
 

 

 外部基準(zhǔn)時(shí)鐘
外部的 10MHz 時(shí)鐘信號可以用作基準(zhǔn)時(shí)鐘。
通過使用精度高于內(nèi)部基準(zhǔn)時(shí)鐘的基準(zhǔn)時(shí)鐘，可以提高測量頻率的精度和穩(wěn)定性。
此外，通過采用與其他儀器通用的基準(zhǔn)時(shí)鐘，可以共享頻率精度。EXTERNAL REFERENCE CLOCK
配備于背面面板
 

 

 存儲器操作
測量條件及測量數(shù)據(jù)可以保存到內(nèi)存或 USB 存儲器中，也可以進(jìn)行讀取。
 

 

用于電化學(xué)阻抗特性測量

配備用于測量各種電化學(xué)阻抗的功能，例如測量電池的內(nèi)部阻抗等。
可以從低頻10μHz開始測量
利用電位梯度消除功能，抑制充放電對電位變化測量的影響
利用0° SYNC功能，在相位0°處變更測量頻率，使測量前后對試樣的電荷轉(zhuǎn)移量為零。
利用測量同步驅(qū)動功能，僅在測量過程中輸出信號，
   從而將施加信號產(chǎn)生的電池負(fù)擔(dān)減輕到*小限度。